圖一: 胡教授獲得第十六屆台灣傑出女科學家獎新秀獎

學術簡介

胡璧合教授出生於台灣彰化，她的研究專長為前瞻奈米電子元件及記憶體電路設計與模擬，致力於元件及電路的共同最佳化，以實現下一代電子元件及記憶體電路具有高密度、低功耗和高能效等特性。在交通大學攻讀博士學位期間，胡教授對半導體元件物理和記憶體電路展現出濃厚興趣。在莊景德教授和蘇彬教授的指導下，她進行了關於矽和鍺超薄通道電子元件在邏輯電路和靜態隨機存取記憶體方面的設計和分析研究。她的博士研究成果於2011年發表在半導體領域頂尖國際會議2011 IEDM上。同年，她獲得交通大學電機學院研究所傑出畢業生（研究類）和電子所博士論文獎優等獎。2011年至2015年期間，胡教授擔任交通大學智慧型記憶體及晶片系統實驗室的助理研究員，執行國科會計畫並擔任計畫主持人，研究鍺通道鰭式場效電晶體靜態隨機存取記憶體的讀取寫入輔助電路設計。她於2014年獲得台灣半導體產業協會（TSIA）頒發的博士後研究員半導體獎，並由當年度TSIA理事長盧超群博士協助邀請台積電董事長張忠謀博士頒發此獎項予胡教授，這個獎項給予胡教授在學術研究旅程中莫大的鼓勵和肯定。

胡教授於2015年加入中央大學電機工程學系擔任助理教授，研究鐵電負電容無接面場效電晶體及鐵電穿隧電晶體在低功耗應用之最佳化設計，胡教授在2017年獲頒潘文淵文教基金會考察研究獎，透過此獎項的支持，她在2017年訪問美國UC Berkeley胡正明院士研究團隊，並進行移地研究，同年度於半導體領域頂尖國際會議2017 IEDM，與UC Berkeley團隊共同發表鐵電負電容元件的微縮特性分析。於擔任助理教授期間，胡教授帶領研究團隊探討鐵電電晶體於新興記憶體之應用，她於2018年獲頒科技部年輕學者，在科技部年輕學者計畫的支持下，在2019年提出應用於類神經型態運算之新穎分離閘極鐵電記憶體結構，有效降低操作電壓及功耗，做為類神經突觸元件，表現優異權重校正線性度，可應用於加速人工智慧計算，相關研究成果發表在半導體領域頂尖國際會議2019 VLSI，同年胡教授獲頒台灣電子材料與元件協會EDMA傑出青年獎的肯定。

胡教授於2020年加入台灣大學電機工程學系，帶領研究團隊專注於前瞻奈米電子元件靜態隨機存取記憶體及鐵電記憶體於三維積體電路之設計與分析，其團隊於2021 IEDM發表可應用於低溫運算之鰭式電晶體靜態隨機存取記憶體設計，於2022 IEDM發表高密度三維互補式電晶體靜態隨機存取記憶體設計，在二維材料電晶體於靜態隨機存取記憶體應用之相關研究，發表在2022年材料領域頂尖期刊《Advanced Materials》，胡教授於2021年獲得科技部吳大猷先生紀念獎的肯定。在國際重要組織，胡教授擔任IEEE Nanoelectronics and Gigascale Systems技術委員和IEEE ISQED 議程委員(2018-2023)，並在2022-2023年擔任半導體領域頂尖國際會議IEDM議程委員。胡教授於半導體領域頂尖國際會議及重要國際期刊的發表，展現其團隊豐沛的研究能量，研究成果具學理創新及前瞻性。同時，在科技及產業發展方面，胡教授與台灣半導體科技公司持續進行產學合作，透過加強學界與業界的連繫與討論，在電子元件及記憶體領域持續研發創新，共同培育半導體產業高階人才。

獲獎之路——過去、現在與未來 (感言)

「台灣傑出女科學家獎」由台灣萊雅與吳健雄學術基金會攜手主辦，每年評選一位具有中華民國國籍且對台灣社會做出卓越貢獻的女性科學家。我深感榮幸能成為今年的「新秀獎」得主。當我得知此殊榮時，內心有無盡的感激之情。從我求學時期開始，一直到我現在於台大任職，許多前輩、同事以及研究伙伴們給予我無比的鼓勵和幫助，讓我得以堅定腳步，專注於研究，並與研究團隊一同成長。回顧過去，我一直秉持著「把現階段的事情做到最好，把握來臨的每個機會！」的原則，努力在研究和職涯中前進。在模擬與驗證工作中，我始終保持著細心、嚴謹和求真務實的精神。我要特別感謝電子所江介宏所長和電機系李建模主任對我的鼓勵，推薦我申請此獎項，這份榮譽對我來說意義重大。未來，除了在研究道路上持續努力耕耘外，我希望能藉由自己的經驗鼓勵更多年輕學子投身於STEM相關領域，共同創造一個更包容、更多元的研究環境，持續在科學工程領域創新，挑戰現狀，突破科學探索的界限。

圖二: 胡教授個人照