文章出處：臺大校訊第1588期

由國內知名的高科技材料與設備供應商華立企業所贊助，並由中國材料科學協會（MRS-T）主辦的「華立創新材料大賽」，於11月18日在國立清華大學舉行頒獎典禮。來自全國19所大學院校、70件由指導教授與學生共同研發的前瞻性作品參與競賽，最終遴選出10件入圍作品與12組團隊入圍決賽，最終由臺灣大學電子所及光電所團隊奪下最高殊榮的金質獎，為連續2年獲獎。

邱日照、Eknath Sarkar、劉原銘、陳禹樵、范淯城，以「世界首創的銦鎵鋅氧閘極環繞式（GAA）奈米片電晶體」為題獲獎。隨著半導體業界不斷的推進製程節點，摩爾定律不再受限於傳統元件的微縮，而單體3D堆疊即為前瞻性的作法，其中銦鎵鋅氧（IGZO）具有適當的電子遷移率、高均勻度、低漏電流以及低溫製程適合被應用在Monolithic 3D應用。劉致為教授團隊成功研發出世界上第一個以銦鎵鋅氧作為通道的標準環繞式閘極奈米片電晶體，並展現出接近理論極限的次臨界百幅61 mV/dec。該項研究成果成功發表於頂級國際會議VLSI，並衍生出3項相關專利，成功在此次大賽奪魁。

前一屆2022金質獎由電子所黃柏崴以「八層垂直堆疊鍺錫極薄通道P型電晶體」為題獲獎。隨著半導體業的發展，以閘極環繞電晶體為基礎的極薄通道電晶體是下一個世代新型電晶體的選項，其利用高載子遷移率材料以及極薄通道的特性，享有低電流高驅動電流的優勢，並且與現行電晶體製程相容。希望未來以奈米片的先進技術節點，可以因此研究而降至3奈米的通道厚度。

未來產業競爭激烈，希望由臺大學生的參與，提升臺灣的競爭力。

得獎報導連結：2023華立華立創新材料大賽 https://money.udn.com/money/story/5723/7584940?from=edn_newestlist_cate_side&fbclid=IwAR3e2mY7L7i0NgiLI436VmSYtE_qZVzlnEWtzsvNa8Pk7LFd00i_SGff2yE

( 本文分享自：臺大校訊第1588期https://sec.ntu.edu.tw/epaper/article.asp?num=1588&sn=23955 )